復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片

　　近日，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬-劉春森團(tuán)隊（以下簡稱"團(tuán)隊"）研發(fā)的"長纓（CY-01）"架構(gòu)將二維超快閃存器件"破曉（PoX）"與成熟硅基CMOS工藝深度融合，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片。這一突破攻克了新型二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題，為新一代顛覆性器件縮短應(yīng)用化周期提供范例，也為推動信息技術(shù)邁入全新高速時代提供支撐。

　　當(dāng)前，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）技術(shù)是集成電路制造的主流工藝，市場中的大部分集成電路芯片均使用CMOS技術(shù)制造，產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟。團(tuán)隊認(rèn)為，如果要加快新技術(shù)孵化，就要將二維超快閃存器件充分融入CMOS傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)線。

　　基于CMOS電路控制二維存儲核心的全片測試支持8-bit指令操作，32-bit高速并行操作與隨機(jī)尋址，良率達(dá)94.3%。這也是迄今為止世界上首個二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，性能超越目前的Flash閃存技術(shù)，首次實現(xiàn)了混合架構(gòu)的工程化。

　　團(tuán)隊表示："這是中國集成電路領(lǐng)域的'源技術(shù)'，使我國在下一代存儲核心技術(shù)領(lǐng)域掌握了主動權(quán)。期待該技術(shù)能顛覆傳統(tǒng)存儲器體系，讓通用型存儲器取代多級分層存儲架構(gòu)，為人工智能、大數(shù)據(jù)等前沿領(lǐng)域提供更高速、更低能耗的數(shù)據(jù)支撐，讓二維閃存成為AI時代的標(biāo)準(zhǔn)存儲方案。" （問新）

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報

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