存儲器芯片：專利數(shù)量懸殊，專利質量突圍？

　　一個是與中國臺灣企業(yè)合作的大陸新晉企業(yè)，一個是全球三大存儲器巨頭之一， 福建省晉華集成電路有限公司（下稱福建晉華）與美國美光之間的專利較量，正是我國存儲器芯片廠商在勁敵環(huán)伺下發(fā)展的一個縮影。

　　目前，在福建晉華向美國美光中國子公司提起的專利侵權訴訟中，福建晉華向福州市中級人民法院提出訴中禁令，要求美光立即停止侵犯涉案專利權行為，得到法院支持。這一“臨時禁令”可視為我國存儲器企業(yè)反擊芯片巨頭的階段性勝利，但業(yè)內人士認為，隨著傳統(tǒng)存儲器市場競爭進入訴訟多發(fā)期，我國企業(yè)要在有效防范風險的同時，贏得國際市場上的一席之地，還有很長的路。

　　日前，國家知識產權局專利局專利審查協(xié)作湖北中心發(fā)布的《半導體存儲器產業(yè)知識產權分析評議報告》（下稱報告）同樣印證了這一觀點。報告顯示，隨著傳統(tǒng)存儲器技術趨于成熟，但產業(yè)進入訴訟高發(fā)期，而我國既沒有巨頭企業(yè)的專利授權，專利儲備又較為薄弱，存在較高的專利風險。

　　專利數(shù)量懸殊警惕訴訟高發(fā)

　　存儲器又名內存，是集成電路產業(yè)重要支柱之一。報告顯示，目前，半導體存儲器年產值超過1000億美元。易失性存儲器（即斷電后存儲信息消失）以DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）為代表，非易失性存儲器以NAND FLASH（閃存）為代表，兩者份額占存儲器產業(yè)90%以上，但長期以來，這一市場都被韓國三星、海力士和美國美光等國際巨頭所壟斷。

　　近年來，我國大力發(fā)展集成電產業(yè)產業(yè)，在國家相關政策的引導推動下，武漢、合肥、晉江三地集成電路產業(yè)園區(qū)重點發(fā)展存儲器，福建晉華正是代表企業(yè)之一。“大舉投資DRAM和NAND FLASH是我國存儲器廠商融入市場的必經之路。”國家知識產權局專利局專利審查協(xié)作湖北中心電學部元器件室主任王海濤發(fā)布報告時表示，同時他也指出，傳統(tǒng)存儲器領域的全球專利趨勢由美日韓主導，近年來全球專利申請量持續(xù)走低，技術步入成熟期，產業(yè)進入訴訟高發(fā)期。我國目前大力投資發(fā)展DRAM和NAND FLASH，將面臨較高的專利訴訟風險。

　　以此次福建晉華與美光引發(fā)糾紛的DRAM為例，中國集成電路知識產權聯(lián)盟此前發(fā)布的《集成電路專利態(tài)勢報告》顯示，在DRAM領域，全球公開的專利申請達14萬余件，日本、美國、韓國申請量位居全球前列，占比達76%，中國的DRAM產業(yè)技術基礎薄弱，相關專利申請量很少，占比僅為4%。

　　合享匯智信息科技集團有限公司高級專利分析師饒小平經檢索發(fā)現(xiàn)，美光在全球申請了近4萬件專利，而且在美國、日本、韓國、中國及歐洲等多個國家和地區(qū)都有相當數(shù)量的布局。相比之下，福建晉華作為大陸新晉廠商，在其擁有的60多件專利中，一部分是與中國臺灣企業(yè)聯(lián)華電子共同申請的專利，一部分是受讓于聯(lián)華電子的專利。“雖然專利侵權的可能性并不能簡單地從數(shù)量上去衡量，單獨一件高價值專利仍可能成為專利訴訟的有力武器，但專利戰(zhàn)一旦開打，雙方手中的專利儲備情況也會影響后續(xù)的談判走向，在這方面福建晉華并沒有優(yōu)勢。”集慧智佳知識產權咨詢公司咨詢師王希波在接受記者采訪時表示。

　　報告顯示，除了巨頭企業(yè)外，退市廠商也持有大量有效專利，我國企業(yè)應注意防范來自國際巨頭企業(yè)、退市廠商以及NPE（非專利實施主體）三方的專利訴訟風險。所幸的是，隨著近年來國內存儲器廠商的快速發(fā)展，研發(fā)投入逐步加大，部分企業(yè)的專利申請也實現(xiàn)快速增長。饒小平介紹，設計企業(yè)兆易創(chuàng)新截至目前提交了656件專利申請，制造企業(yè)長江存儲提交了1116件專利申請，尤其2017年呈爆發(fā)式增長。

　　專利質量提升有待多措并舉

　　在國際巨頭的先發(fā)優(yōu)勢面前，我國存儲器企業(yè)專利儲備不足已是不爭的事實。對此，多位業(yè)內人士認為，有針對性地制定專利策略，提升專利質量，完善專利布局，或能為我國存儲器企業(yè)爭得一席之地。

　　報告顯示，隨著信息產業(yè)對存儲器提出新的需求，目前全球存儲巨頭都在加大對相變、磁阻、阻變等新型存儲器的研發(fā)投入，未來磁阻存儲器可能替代DRAM，阻變存儲器、相變存儲器可能替代NAND FLASH。對此，報告建議，我國企業(yè)對于傳統(tǒng)DRAM和NAND FLASH存儲器應采取“防守進攻”的專利策略，對于新型存儲器采取“攻守兼?zhèn)?rdquo;的專利策略。在傳統(tǒng)存儲器領域，可以通過尋求專利許可、收購已退市廠商核心專利等方式加大專利儲備，并針對性地重點布局垂直晶體管、高K電容、蜂巢電容等40nm以下工藝中的核心專利，基于下一代DDR發(fā)展方向重點布局降低功耗技術，基于三維TSV架構以及2.5D/3D架構高帶寬的DRAM產品標準布局專利。在新型存儲器領域，國內外差距相對較小，我國也已經開始嘗試“存儲器制造廠+研發(fā)型科技機構”模式，但還應基于新型存儲器技術路線中的關鍵技術加大專利布局搶占核心節(jié)點，以增強產業(yè)控制力。

　　目前長江存儲研發(fā)制造了3D DRAM，處于國內領先的位置，然而離大規(guī)模應用還有一定距離。兆易創(chuàng)新則主要還是小市場容量的NOR FLASH存儲器。饒小平認為，國內具備一定研發(fā)實力的企業(yè)應著眼于大市場容量存儲器的研發(fā)。同時，設計、制造、封裝等產業(yè)鏈上各類企業(yè)應聯(lián)合起來共同研發(fā)，共同推進國內存儲器產業(yè)的發(fā)展。此外，國內企業(yè)要進一步提升知識產權意識，既要加大研發(fā)投入和專利布局，對于比較重要的技術，應向國外申請專利，讓中國自主創(chuàng)新的技術同時在歐美日等消費市場大國進行專利保護，也要重視專利分析與預警，為企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展保駕護航。（記者 劉仁）

　　轉自：中國知識產權報
 

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