2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額 預(yù)計(jì)突破5萬(wàn)億日元

　　7月3日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布的最新的報(bào)告顯示，將2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額上修至4.8634萬(wàn)億日元，將創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，并預(yù)估2026年度銷(xiāo)售額將沖破5萬(wàn)億日元大關(guān)、改寫(xiě)歷史新高。

　　報(bào)告指出，2024年度銷(xiāo)售額同比大增29.0%至4.7681萬(wàn)億日元，史上首度沖破4萬(wàn)億日元大關(guān)、創(chuàng)下歷史新高。因AI服務(wù)器用GPU、HBM需求旺盛，中國(guó)臺(tái)灣先進(jìn)晶圓代工廠(chǎng)（臺(tái)積電）將開(kāi)始量產(chǎn)2nm，對(duì)2nm的投資增加，加上韓國(guó)對(duì)DRAM/HBM的投資增加，預(yù)計(jì)2025年度日本制造的半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額（指日系企業(yè)于日本國(guó)內(nèi)及海外的設(shè)備銷(xiāo)售額）自前次（2025年1月）預(yù)估的4.6590萬(wàn)億日元上修至4.8634萬(wàn)億日元，將較2024年度增加2.0%，年銷(xiāo)售額將連續(xù)第2年創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

　　SEAJ表示，2026年度（2026年4月-2027年3月）期間，中國(guó)臺(tái)灣以外的企業(yè)對(duì)2nm的投資將增加、且期待日本也將對(duì)2nm進(jìn)行量產(chǎn)投資，加上廠(chǎng)商對(duì)AI服務(wù)器用HBM、NAND Flash（300層以上產(chǎn)品）的投資具有增長(zhǎng)趨勢(shì)，因此將2026年度日本芯片設(shè)備銷(xiāo)售額自前次預(yù)估的5.1249萬(wàn)億日?qǐng)A上修至5.3498萬(wàn)億日元，將年增10.0%，年銷(xiāo)售額將史上首度沖破5萬(wàn)億日元大關(guān)，創(chuàng)歷史新高。

　　對(duì)于2027年度（2027年4月-2028年3月）的預(yù)測(cè)，SEAJ指出，因除了AI服務(wù)器需求外，在智能手機(jī)/PC領(lǐng)域上、預(yù)估搭載邊緣AI的產(chǎn)品將占全球近半數(shù)比重，預(yù)估日本半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額將同比增長(zhǎng)3.0%至5.5103萬(wàn)億日元，年銷(xiāo)售額有望連續(xù)第4年創(chuàng)下歷史新高。

　　2025-2027年期間日本芯片設(shè)備銷(xiāo)售額的年均復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）預(yù)估為4.9%。日本芯片設(shè)備全球市占率（以銷(xiāo)售額換算）達(dá)30%、僅次于美國(guó)位居全球第2。(記者許子皓)

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)電子報(bào)

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